Samsung, Yapay Zekâ İçin Üç Yeni Bellek Geliştiriyor

Samsung, yapay zekâ sistemlerinde kullanılan cihaz ve veri merkezlerinin değişen bellek ihtiyaçlarına yanıt vermek için üç yeni teknoloji geliştiriyor. Z-NAND-O, Z-NAND-T ve Z-NAND-I adlarını taşıyan çözümler, aynı kullanım senaryosuna odaklanmak yerine farklı performans ölçütlerini hedefliyor.

Güney Kore merkezli şirket, bellek üretiminde dünyanın en büyük oyuncuları arasında yer alıyor. Yapay zekâ uygulamalarının yaygınlaşmasıyla birlikte bellek tarafında yalnızca kapasite değil; veri aktarım hızı, bant genişliği, güç tüketimi ve aynı anda yürütülebilen işlem sayısı da daha belirleyici hâle geliyor. Samsung’un üçlü yaklaşımı, bu farklı ihtiyaçları ayrı ürün tasarımlarıyla karşılamayı amaçlıyor.

Bu ayrım, yapay zekâ donanımlarındaki iş yüklerinin birbirinden farklı olmasından kaynaklanıyor. Bir mobil cihazda öncelik düşük güç tüketimi ve hızlı tepki olabilirken, veri merkezlerinde büyük veri kümelerinin sürekli aktarılması ya da çok sayıda küçük erişim talebinin aynı anda işlenmesi gerekebiliyor. Samsung, Z-NAND ailesiyle her senaryo için aynı bellek yapısını kullanmak yerine, kullanım amacına göre şekillenen çözümler sunmayı hedefliyor.

Mobil cihazlar için Z-NAND-O

Yeni serinin ilk modeli olan Z-NAND-O, cihaz içi yapay zekâ işlemlerine odaklanıyor. Bu yaklaşım, verinin her işlem için uzak bir sunucuya gönderilmesi yerine akıllı telefon veya başka bir mobil cihaz üzerinde işlenmesini hedefleyen kullanım senaryolarıyla örtüşüyor.

Verilerin cihaz üzerinde işlenmesi, bağlantıya duyulan ihtiyacı azaltan bir yaklaşım olarak konumlandırılıyor. Bununla birlikte mobil donanımlarda performans kadar güç tüketimi ve fiziksel alan da önem taşıyor. Z-NAND-O’nun tasarımı bu gereksinimleri birlikte ele alıyor.

Z-NAND-O’nun temel tasarımında NAND yongaları dikey biçimde üst üste yerleştiriliyor. Bellek, dört veya sekiz katmanlı bir yapı kullanacak şekilde geliştiriliyor. Samsung, bu tasarımla mobil cihazlarda anlık veri aktarım hızını artırmayı ve aynı zamanda güç tüketimini azaltmayı amaçlıyor.

Bu modelin konsept versiyonu, ağustos ayında düzenlenen bir etkinlikte ilk kez sergilenmişti. Ancak paylaşılan bilgilerde Z-NAND-O’nun ticari ürün olarak ne zaman kullanıma sunulacağına ilişkin bir tarih bulunmuyor. Dolayısıyla teknolojinin hangi cihazlarda yer alacağı ve son kullanıcı ürünlerinde nasıl bir performans sunacağı henüz bilinmiyor.

Veri merkezleri için iki farklı hedef

Z-NAND-T, Z-NAND-O’dan farklı olarak yüksek işlem hacmi ve veri akış bant genişliğine öncelik veriyor. Model, çok büyük miktarlardaki verinin hızlı biçimde aktarılması gereken yapay zekâ veri merkezleri için tasarlanıyor.

Yapay zekâ veri merkezlerinde sistemler, modellerin eğitilmesi ve çalıştırılması sırasında sürekli olarak büyük veri kümeleriyle işlem yapıyor. Bu nedenle belleğin yalnızca veri saklaması yeterli olmuyor; veriyi işlem birimlerine aktarabilme kapasitesi de toplam performansı etkiliyor. Z-NAND-T, Samsung’un açıklanan hedefleri doğrultusunda bu aktarım ihtiyacını merkeze alıyor.

Bant genişliği, belirli bir süre içinde taşınabilen veri miktarını ifade ediyor. Yapay zekâ iş yüklerinde veri kümelerinin büyümesi, belleğin işlem birimlerine veri yetiştirebilmesini daha kritik hâle getiriyor. Z-NAND-T’nin konumlandırılması da bu tür yoğun veri akışlarının yönetilmesine dayanıyor.

Üçüncü çözüm olan Z-NAND-I ise saniye başına gerçekleştirilebilen girdi/çıktı işlem sayısına, yani IOPS değerine odaklanıyor. Çok sayıda okuma ve yazma talebinin aynı anda gerçekleştiği veri tabanı sistemleri ile yapay zekâ sunucuları bu modelin hedeflediği başlıca kullanım alanları arasında bulunuyor.

Z-NAND-I yaklaşımında öne çıkan nokta, tek seferde taşınan veri miktarından çok eş zamanlı işlem taleplerinin karşılanabilmesi. Bu nedenle model, yoğun ve dağınık veri erişimi gerektiren sunucu iş yükleri için konumlandırılıyor. Bir sistemin yüksek IOPS sunması, çok sayıda küçük erişim talebinin bekleme süresini azaltmasına yardımcı olabiliyor; ancak Samsung bu teknoloji için henüz ayrıntılı performans değerleri paylaşmadı.

Samsung’un karşısında SK Hynix de bulunuyor

Samsung, yapay zekâ odaklı bellek çözümleri geliştiren tek üretici değil. Rakip bellek üreticisi SK Hynix de benzer biçimde farklı performans önceliklerine ayrılan “AI-NAND Family” serisi üzerinde çalışıyor.

SK Hynix’in ailesinde performansa odaklanan AIN P, depolama yoğunluğunu hedefleyen AIN D ve bant genişliği için geliştirilen AIN B modelleri yer alıyor. İki şirketin yaklaşımı, yapay zekâ sistemlerinde tek bir bellek tasarımının tüm ihtiyaçları karşılamasının zorlaştığını gösteriyor.

Samsung’un üç modeli için henüz ayrıntılı teknik özellikler, fiyat bilgisi veya piyasaya çıkış takvimi paylaşılmadı. Bu nedenle Z-NAND ailesinin gerçek kullanım performansı ve hangi ürünlerde yer alacağı, ileride açıklanacak teknik bilgilerle netleşecek. Şimdilik açıklanan yapı, Samsung’un yapay zekâ belleği pazarında mobil cihazlardan veri merkezlerine kadar farklı kullanım alanlarını ayrı hedeflerle ele aldığını ortaya koyuyor.