NVIDIA’nın özel HBM belleği için Samsung ve TSMC buluştu

NVIDIA’nın özel yüksek bant genişlikli bellek çözümü NVHBM için Samsung ile TSMC’nin birlikte çalıştığı bildiriliyor. Plan, belleğin katmanlarını yöneten temel yongayı, yani base die’ı TSMC’nin 3 nm üretim sürecinde geliştirmek. İki şirketin aynı tasarım ve üretim sürecinde buluşması, NVIDIA’nın farklı bellek tedarikçilerinden alacağı ürünlerde tutarlı sonuç elde etme arayışıyla ilişkilendiriliyor.

NVHBM’in NVIDIA’nın Feynman GPU’larında kullanılması bekleniyor. Şirketin paylaşılan hedeflerine göre özel bellek, standart HBM4E’ye kıyasla yüzde 30’a kadar daha fazla bant genişliği sunabilir ve güç tüketimini yüzde 15’e kadar azaltabilir. Bu değerler, ürünün sağlayacağı kesin performans sonucu değil, açıklanan hedefler olarak değerlendirilmelidir.

Base die neden aynı üretim sürecinde geliştiriliyor?

HBM, veriyi yüksek hızda aktarabilmek için bellek katmanlarının üst üste yerleştirildiği bir yapı kullanıyor. Bu katmanların altında bulunan base die ise bellek yongalarının kontrol ve iletişim işlevlerini üstleniyor. Dolayısıyla bu temel çipin tasarımı ve üretim özellikleri, belleğin GPU ile nasıl çalışacağını etkileyen unsurlar arasında yer alıyor.

NVIDIA’nın Samsung, Micron ve SK hynix’ten bu temel yongayı TSMC’nin 3 nm süreciyle üretmelerini istediği aktarılıyor. Belleğin çekirdek katmanlarında ise altıncı nesil DRAM üretim süreci olan 1c’nin kullanılması planlanıyor. Böylece farklı üreticiler kendi bellek çözümlerini sunsa da NVHBM’in temel bileşenlerinden biri ortak bir üretim zeminine sahip olacak.

Bu yaklaşımın pratik faydası, NVIDIA’nın her tedarikçinin farklı süreçlerle ürettiği base die’ı ayrı ayrı doğrulama ihtiyacını azaltabilmesi. Ortak bir temel, test ve kalite kontrol çalışmalarını sadeleştirebilir; aynı zamanda farklı tedarikçilerden gelen ürünlerin benzer performans vermesini kolaylaştırabilir. Özel HBM’in farklı üreticilerde aynı sonuçları sunması, NVIDIA’nın birden fazla kaynaktan ürün alabilmesi açısından da önem taşıyor.

Samsung üretim modelinde esnekliğe gidiyor

Samsung’un talebi kabul ettiği ve NVHBM için TSMC üretim sürecini kullanmaya hazırlandığı belirtiliyor. Bu, şirketin HBM’in hem bellek çekirdeklerini hem de temel yongasını kendi bünyesinde üretmeye dayanan anahtar teslim yaklaşımından ayrıldığı ilk örnek olarak aktarılıyor. Ancak bu değişiklik, Samsung’un diğer HBM ürünlerinde aynı yöntemi bırakacağı anlamına gelmiyor. Standart HBM’in çekirdek ve base die geliştirme çalışmalarının Samsung’da sürmesi bekleniyor.

Samsung’un TSMC ile iş birliğine açık olmasının arkasında yüksek talep de bulunuyor. NVIDIA’nın isteği doğrultusunda ortak bir üretim sürecine yönelmek, tedarik planlamasında ek seçenek sağlayabilir. Bununla birlikte, NVHBM talebinin TSMC’nin üretim kapasitesini aşması ihtimalinde Samsung’un kendi dökümhanesini değerlendirmeyi sürdüreceği bildiriliyor. Bu da iş birliğinin, Samsung’un kendi üretim altyapısını tamamen devre dışı bırakacağı şeklinde yorumlanmaması gerektiğini gösteriyor.

TSMC’nin rolü üretim planıyla sınırlı

TSMC, NVHBM’in base die’ı için 3 nm üretim sürecini sağlayacak şirket olarak öne çıkıyor. Ancak bu iş birliği, TSMC’nin 3D DRAM üretimine başlayacağı anlamına gelmiyor. Aktarılan bilgilere göre NVIDIA, şirketten yalnızca temel yonganın üretimini değil, 3D DRAM üretimine geçmesini de istedi; TSMC ise bu alanda üretim planı olmadığını açıkladı.

NVHBM’in başarısı yalnızca teorik bant genişliği artışına bağlı olmayacak. Üreticilerin aynı temel tasarımı uygulayabilmesi, ürünlerin kalite kontrolünden geçmesi ve hedeflenen güç tüketimi değerlerine ulaşması da belirleyici olacak. Samsung ile TSMC’nin ortak çalışması, NVIDIA’nın bellek tedarik zincirini daha standart hâle getirme çabasını gösteriyor. Feynman GPU’larında kullanılacak çözümün gerçek performansı ve üretim kapasitesi ise ürünler ortaya çıktığında netleşecek.