High NA EUV: Samsung ve TSMC takvimi netleşti

ASML, yeni nesil High NA EUV litografi sistemlerinin Intel’in ardndan Samsung ve TSMC tarafından da üretim sürelerine alınacağını açıkladı. Aynı duyuruda şirket, Samsung ve TSMC ile birlikte 6 inçlik fotomaskelerden 12 inçlik standarda geçişi hedefleyen bir girişim başlattığını da paylaştı. SK Hynix’in konsorsiyuma katılmayı değerlendirdiği belirtiliyor.

Neden önemli?

Daha küçük üretim süreçlerine geçiş, gelişmiş litografi makinelerine bağlı. High NA EUV şu anda fiili üretimde yalnızca Intel tarafında kullanılıyor; Samsung ve TSMC’nin de aynı yola girmesi, sektörün yeni nesil düğüm yarşında hangi aralarla ilerleyeceğini netleştiriyor. 12 inçlik fotomaske planı ise özellikle büyük iplerde stitching” (parça parça basıp birleştirme) yükün azaltmayı hedefliyor.

Samsung ve TSMC takvimi

ASML’ye göre Samsung, High NA EUV teknolojisini 2028 yılına kadar DRAM üretiminde kullanmay planlıyor. TSMC ise teknolojiyi 2030’dan itibaren gelişmişş üretim süreçlerinde devreye alacak. Bu tarihler, Intel’in halihazırda sürdürdüü High NA kullanımna kıyasla daha geç bir olgunlaşma penceresi çiziyor.

Intelin erken kullanımı

High NA EUV şu anda yalnızca Intel tarafından gerçek üretimde kullanılıyor. Şirket teknolojiyi 18A retim sürecinde, belirli Core Ultra Series 3 (Panther Lake) işlemcilerinde uyguluyor. Daha gelişmişş 18A-P süreci üzerinde de alışıldğı; bu sürecin Apple’ın gelecek nesil A serisi iPhone işlemcileri için değerlendirilen seenekler arasında bulunduğu aktarılıyor. 14A sürecinin de bu makinelerde ekillendiği belirtiliyor. ASML, Intel’in 18A sreciyle bugüne kadar 1 milyondan fazla wafer ürettiğini söylüyor.

12 inçlik fotomaskeler ve stitching

Fotomaskeler, çip üzerindeki devre desenlerinin wafer’a aktarılmasında kullanılan şablonlar. Mevcut High NA EUV üretiminde daha büyük çiplerde tüm desen tek bir pozlamaya sımayabiliyor; bu durumda farklı blümlerin hizalanarak basılması (stitching) gerekiyor. Yöntem üretimi karmaşıklaştırırken maliyetleri de yükseltiyor.

12 inçlik maskelerle daha büyk çip desenlerinin bu birleştirme adımına gerek kalmadan oluşturulmas hedefleniyor. Bylece karmaşıklık ve maliyetin dümesi, verimliliğin artması amaçlanyor.

üretkenlik hedefi ve zaman çizelgesi

• 12 inçlik fotomaske kullanan fabrikalarn testleri: 2031
• Seri üretime geçiş beklentisi: 2033
• ASML’ye gre üretkenlikte artış potansiyeli: yüzde 40’a varan

ASML, 12 inçlik fotomaskeler için gerekli üretim altyapısın kademeli olarak devreye alacağını belirtiyor.

Sektör için ne anlama geliyor?

Intel erken geçişin maliyetini üstlenerek tecrübe biriktirmiş durumda. TSMC ve Samsung ise rakipler olgunlaşmış deneyime erişmişken çeşitli üretim darboğazlarıyla karşılaşabilir. High NA ve byük maske geçişi, özellikle yapay zekâ hızlandırıcıları gibi büyük kalıplı çiplerde maliyet ve kapasite baskısını azaltma vaadi taşıyor; fakat takvimlerin 2028–2033 aralığna yayılması, dönüşümün yavaş ve sermaye youn olacağını da gösteriyor.